Evidence of dangling bond electrical activity at the Ge/oxide interface (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Evidence of dangling bond electrical activity at the Ge/oxide interface (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3050451 (literal)

Alternative label

• Baldovino, S; Molle, A; Fanciulli, M (2008)
  Evidence of dangling bond electrical activity at the Ge/oxide interface
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Baldovino, S; Molle, A; Fanciulli, M (literal)

Pagina inizio

• 242105 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 93 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Baldovino, Silvia; Molle, Alessandro; Fanciulli, Marco] INFM, Lab Nazl MDM CNR, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy; [Fanciulli, Marco] Univ Milano Bicocca, Dipartimento Sci Mat, I-20125 Milan, Italy (literal)

Titolo

• Evidence of dangling bond electrical activity at the Ge/oxide interface (literal)

Abstract

• The nature of the defects present at the Ge/oxide interface has been investigated by electrically detected magnetic resonance spectroscopy. In vacuo atomic oxygen exposure has been exploited to generate germanium oxide with variable composition according to the oxidation temperature. Two different kinds of interfacial defects have been identified, which correspond to the Ge dangling bonds and to an oxygen-related defect. (literal)

Prodotto di

• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)
• SILVIA BALDOVINO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Evidence of dangling bond electrical activity at the Ge/oxide interface" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)
• SILVIA BALDOVINO (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Evidence of dangling bond electrical activity at the Ge/oxide interface" (Insieme di parole chiave)