Critical strain region evaluation of self-assembled semiconductor quantum dots (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Critical strain region evaluation of self-assembled semiconductor quantum dots (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1088/0957-4484/18/47/475503 (literal)

Alternative label

• Sales D.L. a; Pizarro J. b; Galindo P.L. b; Garcia R. a; Trevisi G. c; Frigeri P. c; Nasi L. c; Franchi S. c; Molina S.I. a (2007)
  Critical strain region evaluation of self-assembled semiconductor quantum dots
  in Nanotechnology (Bristol. Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Sales D.L. a; Pizarro J. b; Galindo P.L. b; Garcia R. a; Trevisi G. c; Frigeri P. c; Nasi L. c; Franchi S. c; Molina S.I. a (literal)

Pagina inizio

• 475503-1 (literal)

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• http://iopscience.iop.org/0957-4484/18/47/475503 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 18 (literal)

Rivista

• Nanotechnology (Rivista)

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• 6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 47 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• a Departamento de Ciencia de Los Materiales e I. M. Y Q. I., Universidad de Cádiz, Puerto Real, Cádiz, Spain; b Departamento de Lenguajes Y Sistemas Informáticos, Universidad de Cádiz, Puerto Real, Cádiz, Spain; c CNR-IMEM Institute, Parco Delle Scienze 37a, 43100, Parma, Italy (literal)

Titolo

• Critical strain region evaluation of self-assembled semiconductor quantum dots (literal)

Abstract

• A novel peak finding method to map the strain from high resolution transmission electron micrographs, known as the Peak Pairs method, has been applied to In(Ga)As/AlGaAs quantum dot (QD) samples, which present stacking faults emerging from the QD edges. Moreover, strain distribution has been simulated by the finite element method applying the elastic theory on a 3D QD model. The agreement existing between determined and simulated strain values reveals that these techniques are consistent enough to qualitatively characterize the strain distribution of nanostructured materials. The correct application of both methods allows the localization of critical strain zones in semiconductor QDs, predicting the nucleation of defects, and being a very useful tool for the design of semiconductor devices. (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale esterno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)
• LUCIA NASI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Critical strain region evaluation of self-assembled semiconductor quantum dots" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)

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• Nanotechnology (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Critical strain region evaluation of self-assembled semiconductor quantum dots" (Insieme di parole chiave)