Effects of extreme dc-ageing and electron-beam irradiation in InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Effects of extreme dc-ageing and electron-beam irradiation in InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Pavesi M., Rossi F. and Zanoni E. (2006)
  Effects of extreme dc-ageing and electron-beam irradiation in InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes
  in Semiconductor science and technology (Print)
  (literal)

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• Pavesi M., Rossi F. and Zanoni E. (literal)

Pagina inizio

• 138 (literal)

Pagina fine

• 143 (literal)

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• 21 (literal)

Rivista

• Semiconductor science and technology (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Effects of extreme dc-ageing and electron-beam irradiation in InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes (literal)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• Enrico Zanoni (Unità di personale esterno)
• MAURA PAVESI (Unità di personale esterno)
• FRANCESCA ROSSI (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCA ROSSI (Persona)
• MAURA PAVESI (Unità di personale esterno)
• Enrico Zanoni (Unità di personale esterno)

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• Semiconductor science and technology (Rivista)