Optical characterization of radiative deep centres in 6H-SiC junction field effect transistors (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Optical characterization of radiative deep centres in 6H-SiC junction field effect transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Pavesi M., Manfredi M., Rigolli P.L., Armani N., Salviati G. (2004)
  Optical characterization of radiative deep centres in 6H-SiC junction field effect transistors
  in Semiconductor science and technology (Print)
  (literal)

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• Pavesi M., Manfredi M., Rigolli P.L., Armani N., Salviati G. (literal)

Pagina inizio

• 45 (literal)

Pagina fine

• 49 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 19 (literal)

Rivista

• Semiconductor science and technology (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Optical characterization of radiative deep centres in 6H-SiC junction field effect transistors (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• MAURA PAVESI (Unità di personale esterno)
• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• NICOLA ARMANI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR di

• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• NICOLA ARMANI (Unità di personale interno)
• MAURA PAVESI (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Semiconductor science and technology (Rivista)