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Sintesi e caratterizzazione di materiali termoelettrici per temperature medio-alte a base di siliciuri. (Comunicazione a convegno)
- Type
- Label
- Sintesi e caratterizzazione di materiali termoelettrici per temperature medio-alte a base di siliciuri. (Comunicazione a convegno) (literal)
- Anno
- 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
S. Boldrini, S. Battiston, A. Famengo, S. Fiameni (2013)
Sintesi e caratterizzazione di materiali termoelettrici per temperature medio-alte a base di siliciuri.
in Giornate sulla Termoelettricità, Padova, 21-22/02/2013
(literal)
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- S. Boldrini, S. Battiston, A. Famengo, S. Fiameni (literal)
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- CNR-IENI, Corso Stati Uniti 4, 35127 Padova (literal)
- Titolo
- Sintesi e caratterizzazione di materiali termoelettrici per temperature medio-alte a base di siliciuri. (literal)
- Abstract
- Il siliciuro di magnesio (Mg2Si) e il siliciuro di manganese (MnSi1.73-1.75) presentano diverse peculiarità
che li identificano come materiali particolarmente interessanti nell'ambito della conversione diretta del
calore in energia elettrica a temperature medio-alte (fino a 600°C). Gli elementi costituenti, infatti,
sono economici, leggeri e non pongono problemi o rischi data la loro bassa tossicità.
Tuttavia, il siliciuro di magnesio mostra una forte tendenza a formare MgO nei diversi stadi di processo
del materiale, a discapito della sua figura di merito [1, 2]. Similmente la figura di merito del siliciuro di
manganese soffre per la presenza di una fase secondaria conduttrice, difficilmente eliminabile e per
l'elevata anisotropia delle proprietà termoelettriche [3].
L'attività di ricerca del gruppo è focalizzata sulla sintesi e sulla caratterizzazione funzionale di questi
materiali e sullo studio del loro utilizzo come semiconduttori di tipo n e p in un generatore
termoelettrico. Lo studio su Mg2Si è stato prevalentemente incentrato sulla valutazione dell'influenza
del contenuto di MgO e di drogante introdotto sulle proprietà termoelettriche del materiale, puntando
all'ottimizzazione di ZT [1, 2, 4]. La sinterizzazione delle polveri è stata condotta mediante Spark
Plasma Sintering (SPS) [5].
Con lo scopo di limitare l'ossidazione ad alta temperatura del Mg2Si, sono stati sviluppati ricoprimenti
protettivi di MoSi2, depositati via RF magnetron sputtering, le cui funzionalità sono state caratterizzate
e valutate tramite analisi strutturali, morfologiche e composizionali. In particolare, per verificare la
compatibilità meccanica tra strato sottile e substrato, sono state condotte osservazioni in funzione della
temperatura tramite microscopia elettronica ad effetto di campo (FE-SEM) [6].
Riguardo al siliciuro di manganese, invece, sintesi e sinterizzazione sono state condotte
simultaneamente mediante SPS, a partire da polveri di Mn e Si. Questa innovativa procedura permette
di ridurre notevolmente i tempi di ottenimento del materiale finale. I risultati mostrano una completa
reazione di Mn e Si a formare la fase termoelettrica (MnSi1.73-1.75) ed una elevata densità del materiale
(> 95%) [3].
Per la caratterizzazione funzionale dei materiali termoelettrici è stato progettato e realizzato un
appartato che permette la misura del coefficiente di Seebeck e della conducibilità elettrica fino alle alte
temperature (1000 K o 1500 K) [7].
Bibliografia:
[1] S. Fiameni, S. Battiston, S. Boldrini, A. Famengo, F. Agresti, S. Barison, M. Fabrizio, Journal of Solid State Chemistry,
193 (2012) 142-146.
[2] S. Fiameni, A. Famengo, S. Boldrini, S. Battiston, M. Saleemi, M. Stingaciu, M. Jhonsson, S. Barison, M. Fabrizio,
Journal of Electronic Materials
(2013).
[3] A. Famengo, S. Battiston, M. Saleemi, S. Boldrini, S. Fiameni, F. Agresti, M.S. Toprak, S. Barison, M. Fabrizio, Journal
of Electronic Materials (2013).
[4] S. Battiston, S. Fiameni, M. Saleemi, S. Boldrini, A. Famengo, F. Agresti, M. Stingaciu, M.S. Toprak, M. Fabrizio, S.
Barison, Journal of Electronic materials, (2013).
[5] M. Saleemi, M.S. Toprak, S. Fiameni, S. Boldrini, S. Battiston, A. Famengo, M. Stingaciu, M. Johnsson, M.
Muhammed, Journal of Materials Science, 48 (2013) 1940-1946.
[6] S. Battiston, S. Boldrini, S. Fiameni, A. Famengo, M. Fabrizio, S. Barison, Thin Solid Films, 526 (2012) 150-154.
[7] S. Boldrini, A. Famengo, F. Montagner, S. Battiston, S. Fiameni, M. Fabrizio, S. Barison, Journal of Electronic
Materials, (2013). (literal)
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