Internal gettering efficiency in p/p+ and p/p- silicon epistructures (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Internal gettering efficiency in p/p+ and p/p- silicon epistructures (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/SSP.95-96.593 (literal)

Alternative label

• Frigeri C.1, Borionetti G.2, Godio P.2, Gombia E.1 (2004)
  Internal gettering efficiency in p/p+ and p/p- silicon epistructures
  in 10th Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology: GADEST 03, Berlin-Zeuthen (D), 21-26 Sett. 2003
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Frigeri C.1, Borionetti G.2, Godio P.2, Gombia E.1 (literal)

Pagina inizio

• 593 (literal)

Pagina fine

• 598 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• Conference: 10th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2003) Location: BERLIN, GERMANY Date: SEP 21-26, 2003 Sponsor(s): IHP Frankfurt; IHP BTU Joint Lab; European Mat Res Soc (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/SSP.95-96.593 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology X (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 95-96 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 95-96 (literal)

Rivista

• Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena (Rivista)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1CNR-IMEM, PArma, Italy; 2MEMC Electronic Materials, Novara, Italy (literal)

Titolo

• Internal gettering efficiency in p/p+ and p/p- silicon epistructures (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 3-908450-82-9 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• H. Richter and M. Kittler (literal)

Abstract

• The efficiency of internal gettering vs. external and p(+) gettering has been investigated by EBIC contrast measurements in p/p(+) and p/p(-) epi Si on Cz substrates containing oxygen precipitates. The samples were not intentionally contaminated. It was seen that internal gettering also works in presence of back-side poly Si and high B concentration (p/p+ samples with high oxygen content and back-side poly Si) because of, on one hand, the high density of oxygen precipitates and, on the other hand, the low onset temperature for p(+) gettering. The metal undergoing internal gettering likely is Fe, though present in concentrations as low as 10(9)-10(10) cm(-3). (literal)

Editore

• Trans Tech Publications Ltd. (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• ENOS GOMBIA (Persona)
• CESARE FRIGERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Internal gettering efficiency in p/p+ and p/p- silicon epistructures" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ENOS GOMBIA (Persona)
• CESARE FRIGERI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena (Rivista)

Editore di

• Trans Tech Publications Ltd. (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Internal gettering efficiency in p/p+ and p/p- silicon epistructures" (Insieme di parole chiave)