Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1051/epjap:2004113 (literal)

Alternative label

• L. Dózsa1, A. L. Tóth1, Zs. J Horváth1, P. Hubík2, J. Kri?tofik2, J. J. Mare?2, E. Gombia3, R. Mosca3, S. Franchi3 and P. Frigeri3 (2004)
  Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures
  in EPJ. Applied physics (Print); EDP Sciences, Les Ulis Cedex (Francia)
  (literal)

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• L. Dózsa1, A. L. Tóth1, Zs. J Horváth1, P. Hubík2, J. Kri?tofik2, J. J. Mare?2, E. Gombia3, R. Mosca3, S. Franchi3 and P. Frigeri3 (literal)

Pagina inizio

• 93 (literal)

Pagina fine

• 95 (literal)

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• http://epjap.epj.org/articles/epjap/abs/2004/07/apd49/apd49.html (literal)

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• 27 (literal)

Rivista

• EPJ. Applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1-3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1 Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Konkoly-Thege 29-33, H-1121 Budapest, Hungary 2 Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Cukrovarnicka 10, 162 53 Praha 6, Czech Republic 3 MASPEC Institute - C.N.R., Parco Area delle Scienze 37a, 43010 Fontanini-Parma, Italy (literal)

Titolo

• Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures (literal)

Abstract

• Lateral conductivity effects have been investigated in self-organised InAs quantum dot (QD) structures grown in a GaAs matrix with different cap layers. Current-voltage (I-V), capacitance-voltage (CV), DLTS, capacitance and conductance frequency dependence, fast defect transient (FDT), and electron beam induced conductivity (EBIC) measurements were applied. The conductivity in the QD plane decays within a distance of 10 microns. The capacitance transients are dominated by the local QD-plane transversal conductivity and by the free carrier transport in the cap layer. The nonequilibrium free carrier created by electron beam excitation develop a potential barrier at macroscopic distances from the electrical contacts. (literal)

Editore

• EDP Sciences (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTO MOSCA (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Unità di personale esterno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• ENOS GOMBIA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROBERTO MOSCA (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• ENOS GOMBIA (Persona)
• SECONDO FRANCHI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Editore di

• EDP Sciences (Editore)

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• EPJ. Applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures" (Insieme di parole chiave)