A study of indium incorporation efficiency in InGaN grown by MOVPE (Articolo in rivista)

Type
Label
  • A study of indium incorporation efficiency in InGaN grown by MOVPE (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/j.jcrysgro.2004.02.103 (literal)
Alternative label
  • Bosi M. a; Fornari R. ab (2004)
    A study of indium incorporation efficiency in InGaN grown by MOVPE
    in Journal of crystal growth; elsevier B.V., Amsterdam (Paesi Bassi)
    (literal)
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  • Bosi M. a; Fornari R. ab (literal)
Pagina inizio
  • 434 (literal)
Pagina fine
  • 439 (literal)
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  • 1) Siamo favorevoli alla valutazione della ricerca. Tuttavia prima si devono definire criteri e obiettivi dell'attivita' da svolgere e poi, al termine del periodo, si valutano i risultati. 2) I criteri devono essere coerenti con la missione dell'ente oggetto della valutazione: CNR e Universita' hanno finalita' diverse 3) Il presente metodo di valutazione ha molti limiti e rischia di produrre risultati distorti. Per esempio il lavoro di squadra, essenziale per progetti di ricerca applicata, viene fortemente penalizzato. (literal)
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  • http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-1942505261&origin=resultslist&sort=cp-f&src=s&nlo=&nlr=&nls=&imp=t&sid=vO88E_nxwqEKK7EX_d5kidc%3a20&sot=inw&sdt=a&sl=32&s=AU-ID%28%22Bosi%2c+Matteo%22+9232844900%29&relpos=1&relpos=1&searchTerm=AU-ID(%5C%22Bosi,%20Matteo%5C%22%209232844900) (literal)
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  • 265 (literal)
Rivista
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  • 3-4 (literal)
Note
  • Scopu (literal)
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • a CNR-IMEM Institute, Area delle Scienze 37/A, I-43010 Fontanini, Parma, Italy; b Institute of Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany (literal)
Titolo
  • A study of indium incorporation efficiency in InGaN grown by MOVPE (literal)
Abstract
  • InGaN/GaN heterostructures have been deposited by MOVPE onto (0 0 0 1) sapphire substrates. It has been noted that the Indium incorporation efficiency depends on different growth parameters, namely the growth rate, reaction kinetics and partial pressure of H, in the reaction cell. In this work the InGaN composition has been investigated by different techniques and the incorporation efficiency of indium is then correlated with substrate temperature, substrate rotation, H-2 partial pressure and input flows of TMG and TMI. (literal)
Editore
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