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On the morphology and composition of InAs/GaAs quantum dots (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- On the morphology and composition of InAs/GaAs quantum dots (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/S0921-5107(01)01015-7 (literal)
- Alternative label
Grillo V., Lazzarini L., Remmele T. (2002)
On the morphology and composition of InAs/GaAs quantum dots
in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Grillo V., Lazzarini L., Remmele T. (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
- Questo lavoro rappresenta il primo tentativo di trovare un accordo tra i calcoli relativi alla distribuzione di strain e le immagini sperimentali in alta risoluzione di punti quantici di InAs sepolti in GaAs. Questo approccio non è stato percorso finora a causa dello scoraggiante numero di parametri coinvolti nel processo di simulazione di unimmagine sperimentale, in particolare i dettagli della formazione dellimmagine stessa e la posizione del dot allinterno del campione. Tuttavia, in molti casi, possono essere adottate alcune semplificazioni ed ottenere perciò informazioni sia riguardo la morfologia che la composizione del dot studiato. Lanalisi della spaziatura tra le frange reticolari nelle immagini sperimentali ad alta risoluzione, supposta proporzionale alle distanze atomiche, viene effettuata mediante un recente programma di calcolo di nome DALI. Queste analisi vengono poi confrontate con la simulazione della distribuzione di strain ottenuta mediante programmi di calcolo agli elementi finiti.
In particolare, può essere riconosciuta la situazione in cui il dot risulta contenuto completamente o in parte nel campione osservato ed è stato possibile escludere che i dot esaminati fossero di forma piramidale, accordandosi le simulazioni meglio ad una forma di base rotonda. E stato inoltre messo in evidenza che lo strain presente nel campione può riprodurre un effetto simile alla segregazione di In.
(literal)
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- IMEM-CNR, Parma;
University of Erlangen Nurnberg; (literal)
- Titolo
- On the morphology and composition of InAs/GaAs quantum dots (literal)
- Abstract
- InAs/GaAs quantum dots are analysed in the plan view and in the cross sectional high resolution TEM using the DALI program in order to investigate their morphology and composition. The analysis is based on the comparison of the experimental results with finite element calculations performed with different dot shapes. The simulated strain maps are used to infer about the dot shape; in particular the case in which the thin TEM foil does not include the whole quantum dot is considered. The cross section images are well explained if the dots are round based as suggested by plan view observations. Strain effects that could mimic In segregation are also evidenced. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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