Be diffusion in molecular beam epitaxy-grown GaAs structures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Be diffusion in molecular beam epitaxy-grown GaAs structures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1572192 (literal)

Alternative label

• Mosca R.1; Bussei P.1; Franchi S.1; Frigeri P.1; Gombia E.1; Carnera A.2; Peroni M.3 (2003)
  Be diffusion in molecular beam epitaxy-grown GaAs structures
  in Journal of applied physics; American Institute of Physics, Melville [NY] (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mosca R.1; Bussei P.1; Franchi S.1; Frigeri P.1; Gombia E.1; Carnera A.2; Peroni M.3 (literal)

Pagina inizio

• 9709 (literal)

Pagina fine

• 9716 (literal)

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• http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v93/i12/p9709_s1?isAuthorized=no (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 93 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

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• 8 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 12 (literal)

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• La diffusione del Be è stata studiata in strutture di GaAs cresciute mediante MBE con elevati livelli di drogaggio di tipo p. Misure di spettroscopia di massa di ioni secondari (SIMS) condotte su campioni sottoposti a trattamenti termici rapidi (RTP) hanno mostrato come la diffusione del berillio sia più veloce nelle strutture p/p+/p che in quelle p/p+ e come essa sia influenzata solo nelle strutture p/p+ da un aumento del rapporto tra i flussi di As4 e Ga (BEPR) durante la crescita MBE. Questi risultati sono stati discussi simulando la diffusione del Be secondo un modello nel quale la transizione del Be da sostituzionale ad interstiziale avviene mediante \"kick-out\". La procedura di simulazione, già impiegata per la diffusione di Be e Zn in GaAs ed in altri composti connesssi, è stata modificata per tenere conto dell’assenza di equilibrio nella concentrazione iniziale di interstiziali di Ga. In tal modo è stata ottenuta una soddisfacente descrizione dei risultati di SIMS sia nelle strutture p/p+ che in quelle p/p+/p, anche nel caso di campioni cresciuti con differenti BEPR. I risultati delle simulazioni effettuate hanno permesso di concludere che nelle strutture p/p+/p la concentrazione di difetti puntuali nelle regioni adiacenti allo strato di base influenza in modo sostanziale la diffusione del Be durante il trattamento RTP e che ci si attende un’efficiente riduzione della diffusività del berillio solo quando l’intera struttura viene cresciuta con alti BEPR. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1 IMEM-CNR, Parma; 2 Dipartimento di Fisca, INFM, Università di Padova; 3 Alenia Marconi Systems SpA; (literal)

Titolo

• Be diffusion in molecular beam epitaxy-grown GaAs structures (literal)

Abstract

• Beryllium diffusion is considered in heavily doped p-type GaAs structures grown by molecular beam epitaxy (MBE). Secondary ion mass spectrometry (SIMS) measurements performed on samples which underwent rapid thermal processing (RTP) experiments at 850 °C for 30 s show that (i) Be diffusion is faster in p/p+/p structures than in p/p+ ones and (ii) an increase of the As4/Ga flux ratio during the MBE growth affects Be diffusion only in p/p+ structures. These results are discussed by modeling Be diffusion according to a substitutional-interstitial diffusion mechanism where Be transition from substitutional to interstitial takes place by a kick-out process. The modeling procedure, which has been previously used to simulate Be and Zn diffusion in GaAs and in other related compounds, has been modified in order to account for the lacking of equilibrium in the initial concentration of Ga interstitials. It is shown that when the lacking of equilibrium is accounted for at the beginning of the annealing experiment, a satisfactory description of the SIMS results has been achieved in both p/p+ and p/p+/p structures, also considering samples grown by different As4/Ga flux ratios. The modeling results allow us to conclude that in the p/p+/p structures the concentration of point defects (e.g., IGa) in the regions cladding the base layer affects, to a major extent, Be diffusion during RTP, so that an efficient reduction of Be diffusivity is expected only when the whole structure is grown by high V/III flux ratios (literal)

Editore

• American Institute of Physics (Editore)

Prodotto di

• Nanocompositi Ibridi e materiali metastabili per sistemi elettronici innovativi (SP.P02.001.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• ENOS GOMBIA (Persona)
• ROBERTO MOSCA (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Be diffusion in molecular beam epitaxy-grown GaAs structures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROBERTO MOSCA (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)
• ENOS GOMBIA (Persona)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Nanocompositi Ibridi e materiali metastabili per sistemi elettronici innovativi (SP.P02.001.001) (Modulo)

Editore di

• American Institute of Physics (Editore)

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• Journal of applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Be diffusion in molecular beam epitaxy-grown GaAs structures" (Insieme di parole chiave)