Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman: a Method for Preventing Crystal-Crucible Contact in the CdZnTe Growth (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman: a Method for Preventing Crystal-Crucible Contact in the CdZnTe Growth (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Zappettini A., Zha M., Pavesi M., Bissoli F., Zanotti L. (2006)
    Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman: a Method for Preventing Crystal-Crucible Contact in the CdZnTe Growth
    in Proceedings of the IEEE
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Zappettini A., Zha M., Pavesi M., Bissoli F., Zanotti L. (literal)
Pagina inizio
  • 3739 (literal)
Pagina fine
  • 3741 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 6 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
  • IEEE Conference on Room Temperature Semiconductor Detectors, San Diego (US) (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Titolo
  • Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman: a Method for Preventing Crystal-Crucible Contact in the CdZnTe Growth (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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