Al implanted 4H-SiC: improved electrical activation and low resistance ohmic contacts (Comunicazione a convegno)

Type
Label
  • Al implanted 4H-SiC: improved electrical activation and low resistance ohmic contacts (Comunicazione a convegno) (literal)
Anno
  • 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • R. Nipoti, A. Hallén, A. Parisini, F.Moscatelli, and S. Vantaggio (2012)
    Al implanted 4H-SiC: improved electrical activation and low resistance ohmic contacts
    in 9th European Conference on Siicon Carbide and elaed Materials (ECSCRM2012), Sat Petersburg, September 2-6, 2012
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • R. Nipoti, A. Hallén, A. Parisini, F.Moscatelli, and S. Vantaggio (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-IMM of Bologna; Royal Institute of Technology KTH; Università di Parma;CNR-IMM of Bologna; Università di Parma (literal)
Titolo
  • Al implanted 4H-SiC: improved electrical activation and low resistance ohmic contacts (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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Prodotto
Autore CNR di
data.CNR.it