Effect of oxygen on the electronic configuration of Gd2O3/Ge heterojunctions (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Effect of oxygen on the electronic configuration of Gd2O3/Ge heterojunctions (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2838344 (literal)

Alternative label

• Perego, M; Molle, A; Fanciulli, M (2008)
  Effect of oxygen on the electronic configuration of Gd2O3/Ge heterojunctions
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Perego, M; Molle, A; Fanciulli, M (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 92 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Perego, M.; Molle, A.; Fanciulli, M.] CNR, INFM, MDM Natl Lab, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy (literal)

Titolo

• Effect of oxygen on the electronic configuration of Gd2O3/Ge heterojunctions (literal)

Abstract

• The band structure of the Gd2O3/Ge heterojunction was investigated by x-ray photoelectron spectroscopy and was found to be very sensitive to variations of oxygen content in the oxide film. A 0.6 eV decrease of the valence band offset (VBO) has been observed after in situ O-2 postdeposition annealing (PDA). The VBO value obtained after PDA is 2.8 eV in excellent agreement with data reported in the literature. The extra oxygen, supplied during PDA, is stably incorporated in the Gd2O3 matrix. Moreover, this extra oxygen limits moisture adsorption during air exposure and helps to stabilize the electronic configuration of the Gd2O3/Ge heterojunction. (c) 2008 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• MICHELE PEREGO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Effect of oxygen on the electronic configuration of Gd2O3/Ge heterojunctions" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)
• MICHELE PEREGO (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Effect of oxygen on the electronic configuration of Gd2O3/Ge heterojunctions" (Insieme di parole chiave)