Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2015-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.4028/www.scientific.net/MSF.806.11 (literal)

Alternative label

• Anzalone R.; Arrigo G.D.; Camarda M.; Piluso N.; La Via1 F. (2015)
  Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane
  in Materials science forum
  (literal)

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• Anzalone R.; Arrigo G.D.; Camarda M.; Piluso N.; La Via1 F. (literal)

Pagina inizio

• 11 (literal)

Pagina fine

• 14 (literal)

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• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84921444359&partnerID=q2rCbXpz (literal)

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• 806 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• Scopu (literal)

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• IMM-CNR, Sezione di Catania, Catania, 95121, Italy (literal)

Titolo

• Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane (literal)

Abstract

• The following paper explores the development the bulge test technique combined with the micro-Raman analysis and a refined load-deflection model for high quality 3C-SiC squared- membranes. By the minimization of the total elastic energy, starting from the isotropic relation between the stress tensor and the strain tensor, it is possible to calculate the relationship between the maximum deflection and the applied pressure, in both regime of small and large deflection. From the measured breaking pressure through the refined model it is possible to evaluate the breaking strain of the membrane. Furthermore, the relationship between the measured shift of Raman Transverse Optical (TO) phonon modes and the total residual strain (?a/a) within the epitaxial 3C- SiC layer was found. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane" (Insieme di parole chiave)