Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.255 (literal)

Alternative label

• Anzalone R.; Camarda M.; Severino A.; Piluso N.; La Via F. (2014)
  Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Anzalone R.; Camarda M.; Severino A.; Piluso N.; La Via F. (literal)

Pagina inizio

• 255 (literal)

Pagina fine

• 258 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84896069442&partnerID=q2rCbXpz (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 778-780 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR, Sezione di Catania, 95121 Catania, Italy; ST-Microelectronics, 95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition (literal)

Abstract

• In this work we analyzed the variation of wafer curvature due to the growth of thin Si layers on top of 3C-SiC/Si films. The final Si/3C-SiC/Si hetero-structure, allows not only to have a deeper understanding of the stress within the different layers, but can also be used for MEMS applications, using the Si film as sacrificial layer in order to obtain 3C-SiC free-standing structure, or for electronic application, e.g. using the thin Si layer as high quality MOSFET channel and the SiC layer as the drift region. In details, the influence on wafer curvature by the growth of thin Si layer on top on the 3C-SiC/Si film as been studied by optical profilometer. A theoretical model was also applied in order to fit the measured curvature of the hetero-structure and optimize the system. Finally, in order to study the morphology of the hetero-structure micro-Raman spectroscopy and Transmission Electron Microscopy (TEM) measurements has been performed. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• Andrea Severino (Persona)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition" (Insieme di parole chiave)