Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.238 (literal)

Alternative label

• Camarda, M.; La Magna, A.; La Via, F. (2014)
  Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Camarda, M.; La Magna, A.; La Via, F. (literal)

Pagina inizio

• 238 (literal)

Pagina fine

• 242 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 778-780 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM CNR (literal)

Titolo

• Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates (literal)

Abstract

• In this paper we used three dimensional kinetic Monte Carlo simulations on super-lattices to study the hetero-polytypical growth of cubic silicon carbide polytype (3C-SiC) on hexagonal 6H-SiC substrates with miscuts towards the <11-20> and <1-100> directions. We analyze the grown film for different miscut angles (in the range 2 degrees to 12 degrees degrees) and different growth rates, finding that substrates with miscut of 3-4 degrees degrees towards the <1-100> direction should be the best choice for the growth of high quality cubic epitaxial films, being able to promote, given a suitable pre-growth treatment to induce step bunching, the nucleation of single domain 3C-SiC films. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates" (Insieme di parole chiave)