4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6 (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• 4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6 (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.121 (literal)

Alternative label

• Mauceri M.; Pecora A.; Litrico G.; Vecchio C.; Puglisi M.; Crippa D.; Piluso N.; Camarda M.; La Via F. (2014)
  4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mauceri M.; Pecora A.; Litrico G.; Vecchio C.; Puglisi M.; Crippa D.; Piluso N.; Camarda M.; La Via F. (literal)

Pagina inizio

• 121 (literal)

Pagina fine

• 124 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84896089682&partnerID=q2rCbXpz (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 778-780 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• ETC Epitaxial Technology Center, 16a Strada - Z.I. Pantano d'Arci, 95121 Catania, Italy; LPE, Via Falzarego 8, 20021 Baranzate (Mi), Italy; CNR-IMM, Strada VIII 5, 95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• 4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6 (literal)

Abstract

• [object Object] (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6" (Insieme di parole chiave)