http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID304956
P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (Comunicazione a convegno)
- Type
- Label
- P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (Comunicazione a convegno) (literal)
- Anno
- 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
R. Nipoti, M. Puzzanghera, F. Moscatelli (2014)
P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation
in MRS Spring Meeting & Exhibit, Symposym DD, San Francisco, April 22-24, 2014
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- R. Nipoti, M. Puzzanghera, F. Moscatelli (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- CNR-IMM-UOS of Bologna, CNR-IMM-UOS of Bologna, CNR-IMM-UOS of Bologna (literal)
- Titolo
- P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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