High density Wide band gap (WBG) Diode: structure and process (Brevetto)

Type
Label
  • High density Wide band gap (WBG) Diode: structure and process (Brevetto) (literal)
Anno
  • 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • F. Roccaforte 1, M. Saggio 2, S. Rascunà 2 (2014)
    High density Wide band gap (WBG) Diode: structure and process
    (literal)
Titolo
  • High density Wide band gap (WBG) Diode: structure and process (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • F. Roccaforte 1, M. Saggio 2, S. Rascunà 2 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#proprieta
  • STMicroelectronics (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#tipoDiBrevetto
  • Europeo (literal)
Numero brevetto
  • 82326388 (literal)
Anno di deposito
  • 2014 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1. CNR-IMM, Catania, Italy 2. STMicroelectronics, Catania, Italy (literal)
Titolo
  • High density Wide band gap (WBG) Diode: structure and process (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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