Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co ?-ray irradiation (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co ?-ray irradiation (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.nima.2014.08.028 (literal)

Alternative label

• Pagano R.; Lombardo S.; Palumbo F.; Sanfilippo D.; Valvo G.; Fallica G.; Libertino S. (2014)
  Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co ?-ray irradiation
  in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT
  (literal)

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• Pagano R.; Lombardo S.; Palumbo F.; Sanfilippo D.; Valvo G.; Fallica G.; Libertino S. (literal)

Pagina inizio

• 347 (literal)

Pagina fine

• 352 (literal)

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• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84908043162&partnerID=q2rCbXpz (literal)

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• 767 (literal)

Rivista

• NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT (Rivista)

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• 6 (literal)

Note

• Scopu (literal)

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• Istituto Per la Microelettronica e Microsistemi, Zona Industriale, Ottava Strada, 5, Catania, 95121, Italy; Department of Materials Science and Engineering, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa, 32000, Israel; STMicroelectronics, Stradale Primosole, 50, Catania, 95121, Italy (literal)

Titolo

• Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co ?-ray irradiation (literal)

Abstract

• Radiation damage in silicon photomultipliers (SiPM) caused by exposure to 60Co ?-rays is experimentally evaluated and discussed. SiPM devices were irradiated to doses up to 9.4 kGy. Dark current, dark count rate, gain, single photon counting capability, and cross-talk probability among SiPM pixels are evaluated as a function of irradiation dose. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co ?-ray irradiation" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)
• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)

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• NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co ?-ray irradiation" (Insieme di parole chiave)