Ballistic Transport at the Nanometric Inhomogeneities in Au/Nb:SrTiO3 Resistive Switches (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Ballistic Transport at the Nanometric Inhomogeneities in Au/Nb:SrTiO3 Resistive Switches (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/admi.201300057 (literal)

Alternative label

• Andrea Gerbi, Renato Buzio, Alessandro Gadaleta, Luca Anghinolfi, Michael Caminale, Emilio Bellingeri, Antonio Sergio Siri and Daniele Marré (2014)
  Ballistic Transport at the Nanometric Inhomogeneities in Au/Nb:SrTiO3 Resistive Switches
  in Advanced Materials Interfaces; Wiley-VCH Verlag Gmbh, Weinheim (Germania)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Andrea Gerbi, Renato Buzio, Alessandro Gadaleta, Luca Anghinolfi, Michael Caminale, Emilio Bellingeri, Antonio Sergio Siri and Daniele Marré (literal)

Pagina inizio

• 1300057 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/admi.201300057/abstract (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 1 (literal)

Rivista

• Advanced materials interfaces (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-SPIN National Research Council-Institute for Superconductivity, Innovative Materials and Devices, Genova, Italy Physics Department, University of Genova, Genova, Italy Paul Scherrer Institut, Villigen, Switzerland (literal)

Titolo

• Ballistic Transport at the Nanometric Inhomogeneities in Au/Nb:SrTiO3 Resistive Switches (literal)

Abstract

• Novel ballistic electron emission microscopy experiments are reported, aimed to directly visualize and quantify the local inhomogeneities of the effective Schottky barrier height on Au/Nb:SrTiO3 Schottky junctions dominated by interfacial resistance switching effects. The voltage-dependent variation of the local barrier height of the nanometric patches could explain the non-ideal behaviour of the resistance switching effects in transition-metal oxide cells. (literal)

Editore

• Wiley-VCH Verlag Gmbh (Editore)

Prodotto di

• Materiali e dispositivi innovativi per l'elettronica la spintronica e l'energetica (MD.P04.026.001) (Modulo)
• Superconduttività: materiali, meccanismi e trasferimento tecnologico (MD.P04.023.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANDREA GERBI (Unità di personale interno)
• RENATO BUZIO (Unità di personale interno)
• DANIELE MARRE' (Persona)
• EMILIO BELLINGERI (Persona)
• ANTONIO SIRI (Unità di personale esterno)
• ALESSANDRO GADALETA (Persona)

Insieme di parole chiave

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Autore CNR di

• EMILIO BELLINGERI (Persona)
• DANIELE MARRE' (Persona)
• ALESSANDRO GADALETA (Persona)
• ANTONIO SIRI (Unità di personale esterno)
• ANDREA GERBI (Unità di personale interno)
• RENATO BUZIO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Superconduttività: materiali, meccanismi e trasferimento tecnologico (MD.P04.023.001) (Modulo)
• Materiali e dispositivi innovativi per l'elettronica la spintronica e l'energetica (MD.P04.026.001) (Modulo)

Editore di

• Wiley-VCH Verlag Gmbh (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Advanced materials interfaces (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Ballistic Transport at the Nanometric Inhomogeneities in Au/Nb:SrTiO3 Resistive Switches" (Insieme di parole chiave)