Hysteresis loop and cross-talk of organic memristive devices (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Hysteresis loop and cross-talk of organic memristive devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.mejo.2014.09.009 (literal)

Alternative label

• Dimonte, Alice; Berzina, Tatiana; Pavesi, Maura; Erokhin, Victor (2014)
  Hysteresis loop and cross-talk of organic memristive devices
  in Microelectronics; Luton, London (Regno Unito)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Dimonte, Alice; Berzina, Tatiana; Pavesi, Maura; Erokhin, Victor (literal)

Pagina inizio

• 1396 (literal)

Pagina fine

• 1400 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 45 (literal)

Rivista

• Microelectronics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 11 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMEM-CNR, Institute of Materials for Electronics and Magnetism-National Research Council, Parma 43124, Italy IMEM-CNR, Institute of Materials for Electronics and Magnetism-National Research Council, Parma 43124, Italy Department of Physics and Earth Sciences, University of Parma, Viale Usberti 7A, Italy IMEM-CNR, Institute of Materials for Electronics and Magnetism-National Research Council, Parma 43124, Italy (literal)

Titolo

• Hysteresis loop and cross-talk of organic memristive devices (literal)

Abstract

• Similarly to inorganic memristors, the organic memristive devices reveal a variation of the hysteresis loop upon the frequency of the applied bias voltage. The on/off ratio of the conductivity increases from 4 to 1000 Limes for the variation of time delay (equilibration after the application of the voltage increment) from 5 to 60 s. Being implemented in multi-element electrical circuits memristive devices provide a cross-talk, leading to an equilibration trend of the conductivity values. This effect is mainly related to the formation of stable signal pathways. (C) 2014 Elsevier Ltd. All rights reserved. (literal)

Editore

• Luton (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• MEMS,NEMS e Dispositivi microelettronici (MD.P05.018.001) (Modulo)

Autore CNR

• VICTOR EROKHIN (Unità di personale interno)
• MAURA PAVESI (Unità di personale esterno)
• TATIANA IVANOVA (Unità di personale interno)
• Alice Dimonte (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Hysteresis loop and cross-talk of organic memristive devices" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• MEMS,NEMS e Dispositivi microelettronici (MD.P05.018.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MAURA PAVESI (Unità di personale esterno)
• TATIANA IVANOVA (Unità di personale interno)
• Alice Dimonte (Unità di personale esterno)
• VICTOR EROKHIN (Unità di personale interno)

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• Microelectronics (Rivista)

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• Luton (Editore)

Insieme di parole chiave di

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