Electrical and reliability investigation of AlGaN/GaN HEMTs grown on 8° off-axis 4H-SiC (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Electrical and reliability investigation of AlGaN/GaN HEMTs grown on 8° off-axis 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• A. Stocco 1, N. Ronchi 1, G. Meneghesso 1, E. Zanoni 1, F. Roccaforte 2, V. Raineri 2 (2011)
  Electrical and reliability investigation of AlGaN/GaN HEMTs grown on 8° off-axis 4H-SiC
  in 35th European Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits - WOCSDICE2011, Catania (Italy), 29 May - 1 June, 2011
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Stocco 1, N. Ronchi 1, G. Meneghesso 1, E. Zanoni 1, F. Roccaforte 2, V. Raineri 2 (literal)

Pagina inizio

• 153 (literal)

Pagina fine

• 154 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Proceedings of the 35th European Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits - WOCSDICE2011 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. University of Padova (Italy) 2. CNR-IMM, Catania (Italy) (literal)

Titolo

• Electrical and reliability investigation of AlGaN/GaN HEMTs grown on 8° off-axis 4H-SiC (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-88-8080-123-8 (literal)

Editore

• V. Raineri and F. Roccaforte (Editore)

Prodotto di

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Editore di

• V. Raineri and F. Roccaforte (Editore)