Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1143/JJAP.45.4384 (literal)
Alternative label
  • Bonfiglietti, Alessandra; Valletta, Antonio; Rapisarda, Matteo; Mariucci, Luigi; Fortunato, Guglielmo (2006)
    Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors
    in Japanese journal of applied physics
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Bonfiglietti, Alessandra; Valletta, Antonio; Rapisarda, Matteo; Mariucci, Luigi; Fortunato, Guglielmo (literal)
Pagina inizio
  • 4384 (literal)
Pagina fine
  • 4388 (literal)
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  • http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-33744481026&origin=inward (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 45 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 5B (literal)
Note
  • Scopu (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Institute for Photonics and Nanotechnologies, Rome (literal)
Titolo
  • Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors (literal)
Abstract
  • [object Object] (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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