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Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1143/JJAP.45.4384 (literal)
- Alternative label
Bonfiglietti, Alessandra; Valletta, Antonio; Rapisarda, Matteo; Mariucci, Luigi; Fortunato, Guglielmo (2006)
Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors
in Japanese journal of applied physics
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Bonfiglietti, Alessandra; Valletta, Antonio; Rapisarda, Matteo; Mariucci, Luigi; Fortunato, Guglielmo (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-33744481026&origin=inward (literal)
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- Rivista
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- Note
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- Institute for Photonics and Nanotechnologies, Rome (literal)
- Titolo
- Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors (literal)
- Abstract
- [object Object] (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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