http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID298575
Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2015-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.4028/www.scientific.net/MSF.806.143 (literal)
- Alternative label
P. Fiorenza 1, M. Vivona 1, L.K. Swanson 1, F. Giannazzo 1, C. Bongiorno 1, S. Di Franco 1, S. Lorenti 2, A. Frazzetto 2, T. Chassagne 3, F. Roccaforte 1 (2015)
Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3
in Materials science forum
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- P. Fiorenza 1, M. Vivona 1, L.K. Swanson 1, F. Giannazzo 1, C. Bongiorno 1, S. Di Franco 1, S. Lorenti 2, A. Frazzetto 2, T. Chassagne 3, F. Roccaforte 1 (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
- http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84921504192&partnerID=q2rCbXpz (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
- Note
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- 1. CNR-IMM, Catania, Italy
2. STMicroelectronics, Catania, Italy
3. NOVASiC, Savoie Technolac, Le Bourget Du Lac, France (literal)
- Titolo
- Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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