Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2015-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.4028/www.scientific.net/MSF.806.143 (literal)
Alternative label
  • P. Fiorenza 1, M. Vivona 1, L.K. Swanson 1, F. Giannazzo 1, C. Bongiorno 1, S. Di Franco 1, S. Lorenti 2, A. Frazzetto 2, T. Chassagne 3, F. Roccaforte 1 (2015)
    Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3
    in Materials science forum
    (literal)
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  • P. Fiorenza 1, M. Vivona 1, L.K. Swanson 1, F. Giannazzo 1, C. Bongiorno 1, S. Di Franco 1, S. Lorenti 2, A. Frazzetto 2, T. Chassagne 3, F. Roccaforte 1 (literal)
Pagina inizio
  • 143 (literal)
Pagina fine
  • 147 (literal)
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  • http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84921504192&partnerID=q2rCbXpz (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 806 (literal)
Rivista
Note
  • Scopu (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1. CNR-IMM, Catania, Italy 2. STMicroelectronics, Catania, Italy 3. NOVASiC, Savoie Technolac, Le Bourget Du Lac, France (literal)
Titolo
  • Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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