Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2015-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.806.27 (literal)

Alternative label

• K. Alassaad 1, V. Souliere 1, M. Vivona 2, F. Giannazzo 2, F. Roccaforte 2, G. Ferro 1 (2015)
  Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• K. Alassaad 1, V. Souliere 1, M. Vivona 2, F. Giannazzo 2, F. Roccaforte 2, G. Ferro 1 (literal)

Pagina inizio

• 27 (literal)

Pagina fine

• 31 (literal)

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• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84921494076&partnerID=q2rCbXpz (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 806 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Universite Claude Bernard Lyon 1, France 2. CNR-IMM, Catania, Italy (literal)

Titolo

• Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate" (Insieme di parole chiave)