Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.346 (literal)

Alternative label

• Pintilie, I.; Moscatell, F.; Nipoti, R.; Poggi, A.; Solmi, S.; Lovlie, L. S.; Svensson, B. G. (2011)
  Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states
  in 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sundvolden Conf Ctr, Oslo, NORWAY, AUG 29-SEP 02, 2010
  (literal)

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• Pintilie, I.; Moscatell, F.; Nipoti, R.; Poggi, A.; Solmi, S.; Lovlie, L. S.; Svensson, B. G. (literal)

Pagina inizio

• 346 (literal)

Pagina fine

• 349 (literal)

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• http://www.scientific.net/MSF.679-680.346 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 679-680 (literal)

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• 679-680 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

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• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• National Institute of Materials Physics - Romania, Università di Oslo, Consiglio Nazionale delle Ricerche (literal)

Titolo

• Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-3-03785-079-4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Monakhov, EV; Hornos, T; Svensson, BG (literal)

Abstract

• Comparative studies of gate oxides on a N+ pre-implanted area (N-interface similar to 1x10(19)cm(-3)) and on a virgin Si face 4H-SiC material (N-interface similar to 1x10(16)cm(-3)) have been undertaken by means of Capacitance-Voltage (C-V) characteristics, performed at different temperatures and frequencies, and Thermal Dielectric Relaxation Current technique. In the non implanted samples, the stretch out of the C-V curves get larger as the temperature is lowered to 150K, while for lower temperatures the C-V characteristics become steeper and some discontinuities occur. These discontinuities are specific for the non-implanted sample and are associated with charging of the fast near interface states (NIToxfast) via a tunneling from the shallow interface states (D-it). The tunneling from the shallow D-it to NIToxfast supress the a.c. response of D-it, which is recovered only after most of the NIToxfast are charged with electrons. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR di

• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

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Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states" (Insieme di parole chiave)