Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.657 (literal)

Alternative label

• Grossner, U.; Moscatelli, F.; Nipoti, R. (2014)
  Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation
  in 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2013), Miyazaki, Japan, September 29 - October 4, 2013
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Grossner, U.; Moscatelli, F.; Nipoti, R. (literal)

Pagina inizio

• 657 (literal)

Pagina fine

• 660 (literal)

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• http://www.scientific.net/MSF.778-780.657 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Silicon Carbide and Related Materials 2013 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 778-780 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 778-780 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

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• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• ABB Baden; CNR-IMM of Bologna; CNR-IMM of Bologna (literal)

Titolo

• Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-3-03835-010-1 (literal)

Abstract

• Two families of Al+ implanted vertical p(+)-i-n diodes that have been processed all by identical steps except the post implantation annealing one have been characterized with current voltage measurements from -100 to +5V at different temperatures. Analysis of the static forward current voltage characteristics shows two different ideality factor regions, which are distinct for each family. The reverse current voltage characteristics reveals corresponding two different activation energies. These are assumed to be correlated to the Z(1/2) defect for the one case and another one with an activation energy of 0.25eV. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation" (Insieme di parole chiave)