Structural and electrical analysis of In-Sb-Te-based PCM cells (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Structural and electrical analysis of In-Sb-Te-based PCM cells (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/pssr.201308074 (literal)

Alternative label

• Fallica, Roberto; Stoycheva, Toni; Wiemer, Claudia; Longo, Massimo (2013)
  Structural and electrical analysis of In-Sb-Te-based PCM cells
  in Physica status solidi. Rapid research letters (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Fallica, Roberto; Stoycheva, Toni; Wiemer, Claudia; Longo, Massimo (literal)

Pagina inizio

• 1009 (literal)

Pagina fine

• 1013 (literal)

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• 7 (literal)

Rivista

• Physica status solidi. Rapid research letters (Rivista)

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• 5 (literal)

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• 11 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR) (literal)

Titolo

• Structural and electrical analysis of In-Sb-Te-based PCM cells (literal)

Abstract

• Two In-Sb-Te compounds with low Te content (12 at.% and 17 at.%), deposited by metalorganic chemical vapour deposition, were implemented into prototype phase-change memory devices of size 50 x 50 nm(2) and 93 x 93 nm(2). These chalcogenides yielded devices with higher threshold voltage than those based on Ge-Sb-Te alloys. The endurance and programming window were markedly improved (from 10(3) to 10(6) cycles and from 1 to 2 orders of magnitude, respectively) when employing the Te-richer alloy. Moreover, in situ structural and electrical analysis on TiN/In-Sb-Te/dielectric stacks provided additional insight on the thermal stability of the two ternary phases In3SbTe2 and InSb0.8Te0.2, which were found to coexist in these compounds. ((c) 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTO FALLICA (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Structural and electrical analysis of In-Sb-Te-based PCM cells" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• ROBERTO FALLICA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

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• Physica status solidi. Rapid research letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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