http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID296838
A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1149/2.037309jss (literal)
- Alternative label
Molle, Alessandro; Cianci, Elena; Lamperti, Alessio; Wiemer, Claudia; Spiga, Sabina; Fanciulli, Marco (2013)
A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf)
in ECS Journal of Solid State Science and Technology
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Molle, Alessandro; Cianci, Elena; Lamperti, Alessio; Wiemer, Claudia; Spiga, Sabina; Fanciulli, Marco (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-84887348879&origin=inward (literal)
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- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
- Note
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- Laboratorio Nazionale MDM; Universita degli Studi di Milano - Bicocca (literal)
- Titolo
- A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (literal)
- Abstract
- [object Object] (literal)
- Prodotto di
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