A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (Articolo in rivista)

Type
Label
  • A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1149/2.037309jss (literal)
Alternative label
  • Molle, Alessandro; Cianci, Elena; Lamperti, Alessio; Wiemer, Claudia; Spiga, Sabina; Fanciulli, Marco (2013)
    A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf)
    in ECS Journal of Solid State Science and Technology
    (literal)
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  • Molle, Alessandro; Cianci, Elena; Lamperti, Alessio; Wiemer, Claudia; Spiga, Sabina; Fanciulli, Marco (literal)
Pagina inizio
  • P395 (literal)
Pagina fine
  • P399 (literal)
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  • http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-84887348879&origin=inward (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 2 (literal)
Rivista
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  • 9 (literal)
Note
  • Scopu (literal)
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  • Laboratorio Nazionale MDM; Universita degli Studi di Milano - Bicocca (literal)
Titolo
  • A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (literal)
Abstract
  • [object Object] (literal)
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