Fe3-?O4/MgO/Co magnetic tunnel junctions synthesized by full in situ atomic layer and chemical vapour deposition (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Fe3-?O4/MgO/Co magnetic tunnel junctions synthesized by full in situ atomic layer and chemical vapour deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1088/0022-3727/47/10/102002 (literal)

Alternative label

• Mantovan, Roberto; Vangelista, Silvia; Kutrzeba-Kotowska, B.; Lamperti, Alessio; Manca, Nicola; Pellegrino, Luca; Fanciulli, Marco (2014)
  Fe3-?O4/MgO/Co magnetic tunnel junctions synthesized by full in situ atomic layer and chemical vapour deposition
  in Journal of physics. D, Applied physics (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mantovan, Roberto; Vangelista, Silvia; Kutrzeba-Kotowska, B.; Lamperti, Alessio; Manca, Nicola; Pellegrino, Luca; Fanciulli, Marco (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-84894481375&origin=inward (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 47 (literal)

Rivista

• Journal of physics. D, Applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 10 (literal)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Laboratorio MDM-IMM-CNR; Consiglio Nazionale delle Ricerche; Universita degli Studi di Genova; Universita degli Studi di Milano - Bicocca (literal)

Titolo

• Fe3-?O4/MgO/Co magnetic tunnel junctions synthesized by full in situ atomic layer and chemical vapour deposition (literal)

Abstract

• Fe3-?O4/MgO/Co magnetic tunnel junctions (MTJs) are synthesized on top of ~1 inch Si/SiO2 substrates by conducting a full in situ chemical vapour and atomic layer deposition process with no vacuum break. Tunnel magnetoresistance up to 6% is measured at room temperature, increasing to 12.5% at 120 K. Our results demonstrate the possibility of using full-chemical processes to synthesize functional MTJs, and this could provide a path towards the use of cost-effective methods to produce magnetic devices on a large scale. (literal)

Prodotto di

• Materiali e dispositivi innovativi per l'elettronica la spintronica e l'energetica (MD.P04.026.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale interno)
• SILVIA VANGELISTA (Unità di personale esterno)
• ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)
• LUCA PELLEGRINO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Fe3-?O4/MgO/Co magnetic tunnel junctions synthesized by full in situ atomic layer and chemical vapour deposition" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e dispositivi innovativi per l'elettronica la spintronica e l'energetica (MD.P04.026.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22627
• LUCA PELLEGRINO (Persona)
• ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)
• SILVIA VANGELISTA (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of physics. D, Applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Fe3-?O4/MgO/Co magnetic tunnel junctions synthesized by full in situ atomic layer and chemical vapour deposition" (Insieme di parole chiave)