Photoluminescence of Graphene Oxide Infiltrated into Mesoporous Silicon (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Photoluminescence of Graphene Oxide Infiltrated into Mesoporous Silicon (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1021/jp506539n (literal)

Alternative label

• Rea, Ilaria; Sansone, Lucia; Terracciano, Monica; De Stefano, Luca; Dardano, Principia; Giordano, Michele; Borriello, Anna; Casalino, Maurizio (2014)
  Photoluminescence of Graphene Oxide Infiltrated into Mesoporous Silicon
  in Journal of physical chemistry. C
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Rea, Ilaria; Sansone, Lucia; Terracciano, Monica; De Stefano, Luca; Dardano, Principia; Giordano, Michele; Borriello, Anna; Casalino, Maurizio (literal)

Pagina inizio

• 27301 (literal)

Pagina fine

• 27307 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 118 (literal)

Rivista

• Journal of physical chemistry. C (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 47 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR); Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR); University of Naples Federico II (literal)

Titolo

• Photoluminescence of Graphene Oxide Infiltrated into Mesoporous Silicon (literal)

Abstract

• Graphene oxide (GO) is a photoluminescent material whose application in optoelectronics has been strongly limited due to its poor emission intensity. In this work, a GOporous silicon (GOPSi) hybrid structure is realized in order to investigate the emission properties of GO infiltrated into a porous matrix. GOPSi is characterized by Fourier transform infrared spectroscopy, spectroscopic reflectometry, and steady-state photoluminescence. A photoluminescence enhancement by a factor of 2.5 with respect to GO deposited on a flat silicon surface is demonstrated. Photoluminescence measurements also show a modulation of the emitted signal; this effect is attributed to the interference phenomena occurring inside the PSi monolayer. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ILARIA REA (Unità di personale interno)
• MICHELE GIORDANO (Unità di personale interno)
• PRINCIPIA DARDANO (Persona)
• LUCA DE STEFANO (Unità di personale interno)
• LUCIA SANSONE (Unità di personale esterno)
• ANNA BORRIELLO (Unità di personale interno)
• MAURIZIO CASALINO (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• MICHELE GIORDANO (Unità di personale interno)
• LUCIA SANSONE (Unità di personale esterno)
• MAURIZIO CASALINO (Persona)
• PRINCIPIA DARDANO (Persona)
• ANNA BORRIELLO (Unità di personale interno)
• LUCA DE STEFANO (Unità di personale interno)
• ILARIA REA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of physical chemistry. C (Rivista)