Epitaxial growth of a single-domain hexagonal boron nitride monolayer (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Epitaxial growth of a single-domain hexagonal boron nitride monolayer (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1021/nn5058968 (literal)

Alternative label

• Fabrizio Orlando (1); Paolo Lacovig (2); Luca Omiciuolo (1); Nicoleta G. Apostol (2,3); Rosanna Larciprete (4); Alessandro Baraldi (1,2,5); Silvano Lizzit (2) (2014)
  Epitaxial growth of a single-domain hexagonal boron nitride monolayer
  in ACS nano
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Fabrizio Orlando (1); Paolo Lacovig (2); Luca Omiciuolo (1); Nicoleta G. Apostol (2,3); Rosanna Larciprete (4); Alessandro Baraldi (1,2,5); Silvano Lizzit (2) (literal)

Pagina inizio

• 12063 (literal)

Pagina fine

• 12070 (literal)

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• Publication Date (Web): November 12, 2014. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn5058968 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 8 (literal)

Rivista

• ACS nano (Rivista)

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• 12 (literal)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• (1) Physics Department, University of Trieste, Via Valerio 2, 34127 Trieste, Italy (2) Elettra-Sincrotrone Trieste S.C.p.A., AREA Science Park, S.S. 14 km 163.5, 34149 Trieste, Italy (3) National Institute of Materials Physics, Atomistilor 105b, 077125 Magurele-Ilfov, Romania (4) CNR-Institute for Complex Systems, Via Fosso del Cavaliere 100, 00133 Roma, Italy (5) IOM-CNR, Laboratorio TASC, AREA Science Park, S.S. 14 km 163.5, 34149 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• Epitaxial growth of a single-domain hexagonal boron nitride monolayer (literal)

Abstract

• We investigate the structure of epitaxially grown hexagonal boron nitride (h-BN) on Ir(111) by chemical vapor deposition of borazine. Using photoelectron diffraction spectroscopy, we unambiguously show that a single-domain h-BN monolayer can be synthesized by a cyclic dose of high-purity borazine onto the metal substrate at room temperature followed by annealing at T = 1270 K, this method giving rise to a diffraction pattern with 3-fold symmetry. In contrast, high-temperature borazine deposition (T = 1070 K) results in a h-BN monolayer formed by domains with opposite orientation and characterized by a 6-fold symmetric diffraction pattern. We identify the thermal energy and the binding energy difference between fcc and hcp seeds as key parameters in controlling the alignment of the growing h-BN clusters during the first stage of the growth, and we further propose structural models for the h-BN monolayer on the Ir(111) surface. (literal)

Prodotto di

• Proprietà morfologiche, ottiche ed elettroniche di materiali strutturati su scala mesoscopica e nanoscopica (MD.P02.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• ROSANNA LARCIPRETE (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO BARALDI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Epitaxial growth of a single-domain hexagonal boron nitride monolayer" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROSANNA LARCIPRETE (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO BARALDI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Proprietà morfologiche, ottiche ed elettroniche di materiali strutturati su scala mesoscopica e nanoscopica (MD.P02.019.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• ACS nano (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Epitaxial growth of a single-domain hexagonal boron nitride monolayer" (Insieme di parole chiave)