Cross-sectional imaging of sharp Si interlayers embedded in gallium arsenide (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Cross-sectional imaging of sharp Si interlayers embedded in gallium arsenide (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Duan, XM; Baroni, S; Modesti, S; Peressi, M (2006)
  Cross-sectional imaging of sharp Si interlayers embedded in gallium arsenide
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Duan, XM; Baroni, S; Modesti, S; Peressi, M (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 88 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Democritos Natl Simulat Ctr, INFM, I-34014 Trieste, Italy; Scuola Int Super Studi Avanzati, I-34014 Trieste, Italy; TASC Natl Lab, INFM, I-34012 Trieste, Italy; Univ Trieste, Dipartmento Fis, I-34127 Trieste, Italy; Univ Trieste, Dipartimento Fis Teor, I-34014 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• Cross-sectional imaging of sharp Si interlayers embedded in gallium arsenide (literal)

Abstract

• We investigate the electronic properties of the (110) cross-sectional surface of Si-doped GaAs using first-principles techniques. We focus on doping configurations with an equal concentration of Si impurities in cationic and anionic sites, such as occurring in a self-compensating doping regime. In particular we study a bilayer of Si atoms uniformly distributed over two consecutive (001) atomic layers. The simulated cross-sectional scanning tunneling microscopy images show a bright signal at negative bias, which is strongly attenuated when the bias is reversed. This scenario is consistent with experimental results which had been attributed to hitherto unidentified Si complexes. (literal)

Prodotto di

• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
• Teoria, simulazione e progetto assistito dal calcolatore di materiali nanostrutturati (MD.P06.025.001) (Modulo)
• Fluidi quantistici e sistemi elettronici fortemente correlati alla nanoscala e in dispositivi (MD.P06.024.001) (Modulo)

Autore CNR

• STEFANO BARONI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Cross-sectional imaging of sharp Si interlayers embedded in gallium arsenide" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• STEFANO BARONI (Persona)

Prodotto

• Teoria, simulazione e progetto assistito dal calcolatore di materiali nanostrutturati (MD.P06.025.001) (Modulo)
• Fluidi quantistici e sistemi elettronici fortemente correlati alla nanoscala e in dispositivi (MD.P06.024.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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