Buffer layer optimization for the growth of state of the art 3C-SiC/Si (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Buffer layer optimization for the growth of state of the art 3C-SiC/Si (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2015-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.4028/www.scientific.net/MSF.806.15 (literal)

Alternative label

• Matteo Bosi1, Giovanni Attolini1, Marco Negri1, Cesare Frigeri1, Elisa Buffagni1, Claudio Ferrari1, Tiziano Rimoldi2, Luigi Cristofolini2, Lucrezia Aversa3, Roberta Tatti3, Roberto Verucchi (2015)
  Buffer layer optimization for the growth of state of the art 3C-SiC/Si
  in HeteroSiC-WASMPE 2013, Nizza, 17-19 giugno 2013
  (literal)

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• Matteo Bosi1, Giovanni Attolini1, Marco Negri1, Cesare Frigeri1, Elisa Buffagni1, Claudio Ferrari1, Tiziano Rimoldi2, Luigi Cristofolini2, Lucrezia Aversa3, Roberta Tatti3, Roberto Verucchi (literal)

Pagina inizio

• 15 (literal)

Pagina fine

• 19 (literal)

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• 806 (literal)

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• 5 (literal)

Note

• Scopus (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1 IMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, 43124 Parma, Italy 2 Dipartimento di Fisica e Scienze della Terra, Università degli Studi di Parma, Italy 3 IMEM-CNR, Via alla Cascata 56/C, 38123 Trento, Italy (literal)

Titolo

• Buffer layer optimization for the growth of state of the art 3C-SiC/Si (literal)

Abstract

• We describe a procedure for the optimization of a 3C-SiC buffer layer for the deposition of 3C-SiC on (001) Si substrates. A 100 - 150 nm thick SiC buffer was deposited after a standard carbonization at 1125 °C, while increasing the temperature from 1125 °C to 1380 °C. Ramp time influenced the quality and the crystallinity of the buffer layer and the presence of voids at the SiC/Si interface. After the optimization of the buffer, to demonstrate its effectiveness, a highquality 3C-SiC was grown, with excellent surface morphology, crystallinity and low stress. (literal)

Editore

• Trans Tech Publications (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• CLAUDIO FERRARI (Unità di personale interno)
• Marco Negri (Persona)
• ROBERTA TATTI (Persona)
• MATTEO BOSI (Persona)
• LUCREZIA AVERSA (Persona)
• CESARE FRIGERI (Persona)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• ELISA BUFFAGNI (Unità di personale esterno)
• ROBERTO VERUCCHI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Buffer layer optimization for the growth of state of the art 3C-SiC/Si" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CLAUDIO FERRARI (Unità di personale interno)
• ROBERTO VERUCCHI (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)
• ROBERTA TATTI (Persona)
• ELISA BUFFAGNI (Unità di personale esterno)
• Marco Negri (Persona)
• LUCREZIA AVERSA (Persona)
• MATTEO BOSI (Persona)

Editore di

• Trans Tech Publications (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Buffer layer optimization for the growth of state of the art 3C-SiC/Si" (Insieme di parole chiave)