Electronic properties of Si hollow nanowires (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Electronic properties of Si hollow nanowires (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4901200 (literal)

Alternative label

• Di Mario L.; Turchini S.; Zema N.; Cimino R.; Martelli F. (2014)
  Electronic properties of Si hollow nanowires
  in Journal of applied physics (online)
  (literal)

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• Di Mario L.; Turchini S.; Zema N.; Cimino R.; Martelli F. (literal)

Pagina inizio

• 174310 (literal)

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• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84910045205&partnerID=q2rCbXpz (literal)

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• 116 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

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• 17 (literal)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR, Via del fosso del cavaliere 100, Rome, 00133, Italy; ISM-CNR, Via del fosso del cavaliere 100, Rome, 00133, Italy; LNF-INFN, Via E. Fermi 40, Frascati, 00044, Italy (literal)

Titolo

• Electronic properties of Si hollow nanowires (literal)

Abstract

• The electronic and structural properties of amorphous and crystalline silicon hollow nanowires (HNWs) have been investigated by X-ray photoemission (XPS), Raman, and photoluminescence spectroscopies. The HNWs have an internal diameter of about 80 nm and sidewalls with a thickness of 8-15 nm. Crystalline HNWs are obtained by thermal annealing of the amorphous ones. XPS shows that although oxidation is a very important process in these suspended nanostructures, a clear Si 2p signal is detected in the crystalline HNWS, thus indicating that the sidewall surface maintains mainly a pure silicon nature. Raman shows that the thermal annealing gives rise to a very good crystal quality and a weak visible luminescence signal is detected in the crystalline HNWs. (literal)

Prodotto di

• Superfici Funzionalizzate, Interfacce, Riconoscimento Molecolare e Catalisi (MD.P06.005.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)

Autore CNR

• STEFANO TURCHINI (Unità di personale interno)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• NICOLA ZEMA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• STEFANO TURCHINI (Unità di personale interno)
• NICOLA ZEMA (Unità di personale interno)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID24567

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Superfici Funzionalizzate, Interfacce, Riconoscimento Molecolare e Catalisi (MD.P06.005.001) (Modulo)

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• Journal of applied physics (Rivista)