Fowler-Nordheim tunneling at SiO2/4H-SiC interfaces in metal-oxide-semiconductor field effect transistors (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Fowler-Nordheim tunneling at SiO2/4H-SiC interfaces in metal-oxide-semiconductor field effect transistors (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.4898009 (literal)
Alternative label
  • P. Fiorenza 1, A. Frazzetto 2, A. Guarnera 2, M. Saggio 2, F. Roccaforte 1 (2014)
    Fowler-Nordheim tunneling at SiO2/4H-SiC interfaces in metal-oxide-semiconductor field effect transistors
    in Applied physics letters
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • P. Fiorenza 1, A. Frazzetto 2, A. Guarnera 2, M. Saggio 2, F. Roccaforte 1 (literal)
Pagina inizio
  • 142108-1 (literal)
Pagina fine
  • 142108-5 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 105 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 5 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
  • Scopu (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1 CNR-IMM, Catania, Italy ; 2STMicrolectronics, Catania, Italy (literal)
Titolo
  • Fowler-Nordheim tunneling at SiO2/4H-SiC interfaces in metal-oxide-semiconductor field effect transistors (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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