Single-crystal CuIn1 -xGaxSe2 films grown on lattice-matched Ge by low-temperature Pulsed Electron Deposition technique (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Single-crystal CuIn1 -xGaxSe2 films grown on lattice-matched Ge by low-temperature Pulsed Electron Deposition technique (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/Fotonica.2014.6843938 (literal)

Alternative label

• Colace, L. and Bronzoni, M. and De Iacovo, A. and Frigeri, P. and Gombia, E. and Maragliano, C. and Mezzadri, F. and Nasi, L. and Pattini, F. and Rampino, S. and Seravalli, L. and Trevisi, G. (2014)
  Single-crystal CuIn1 -xGaxSe2 films grown on lattice-matched Ge by low-temperature Pulsed Electron Deposition technique
  in 2014 Fotonica AEIT Italian Conference on Photonics Technologies, Napoli, 12-14 Maggio 2014
  (literal)

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• Colace, L. and Bronzoni, M. and De Iacovo, A. and Frigeri, P. and Gombia, E. and Maragliano, C. and Mezzadri, F. and Nasi, L. and Pattini, F. and Rampino, S. and Seravalli, L. and Trevisi, G. (literal)

Pagina inizio

• 1 (literal)

Pagina fine

• 4 (literal)

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• http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6843938 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Photonics Technologies, 2014 Fotonica AEIT Italian Conference on (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• University of Roma Tre IMEM - CNR Masdar Institute - UAE (literal)

Titolo

• Single-crystal CuIn1 -xGaxSe2 films grown on lattice-matched Ge by low-temperature Pulsed Electron Deposition technique (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-8-8872-3718-4 (literal)

Abstract

• We report on the epitaxial growth of Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin films on n-type Ge substrates using the Pulsed Electron Deposition (PED) technique. Single-crystal films with smooth interface and no dislocations were obtained at a substrate temperature of 300°C with thickness above 1.5?m. CIGS/Ge epilayers were characterized in terms of Transmission Electron Microscopy, X-Ray Diffraction and Photoluminescence. Preliminary results are very promising for a variety of potential applications as absorber layer in single and multi-junction thin-film solar cells. (literal)

Prodotto di

• Tecnologie per Energia (SP.P02.007.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• STEFANO RAMPINO (Persona)
• Francesco Mezzadri (Persona)
• FRANCESCO PATTINI (Persona)
• MATTEO BRONZONI (Unità di personale esterno)
• ENOS GOMBIA (Persona)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Single-crystal CuIn1 -xGaxSe2 films grown on lattice-matched Ge by low-temperature Pulsed Electron Deposition technique" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• ENOS GOMBIA (Persona)
• Francesco Mezzadri (Persona)
• MATTEO BRONZONI (Unità di personale esterno)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)
• STEFANO RAMPINO (Persona)
• FRANCESCO PATTINI (Persona)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Tecnologie per Energia (SP.P02.007.001) (Modulo)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Single-crystal CuIn1 -xGaxSe2 films grown on lattice-matched Ge by low-temperature Pulsed Electron Deposition technique" (Insieme di parole chiave)