Structure and interface bonding of GeO2/Ge/In0.15Ga0.85As heterostructures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Structure and interface bonding of GeO2/Ge/In0.15Ga0.85As heterostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2992560 (literal)

Alternative label

• Molle, A; Spiga, S; Andreozzi, A; Fanciulli, M; Brammertz, G; Meuris, M (2008)
  Structure and interface bonding of GeO2/Ge/In0.15Ga0.85As heterostructures
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Molle, A; Spiga, S; Andreozzi, A; Fanciulli, M; Brammertz, G; Meuris, M (literal)

Pagina inizio

• 133504 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 93 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Molle, Alessandro; Spiga, Sabina; Andreozzi, Andrea; Fanciulli, Marco] CNR INFM Lab Nazl MDM, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy; [Fanciulli, Marco] Univ Milan, Dipartimento Sci Mat, I-20041 Milan, Italy; [Brammertz, Guy; Meuris, Marc] IMEC, B-3001 Louvain, Belgium (literal)

Titolo

• Structure and interface bonding of GeO2/Ge/In0.15Ga0.85As heterostructures (literal)

Abstract

• The structural and chemical details of GeO2/Ge layers grown on In0.15Ga0.85As substrates by molecular beam deposition were studied in situ by diffraction and spectroscopic techniques. The formation of semiconductor-oxygen bonds at the Ge/In0.15Ga0.85As interface, which may play a decisive role in dictating the quality of the Ge passivation, was assessed after using two different surface preparations, namely Ar sputtering and atomic hydrogen cleaning. (C) 2008 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• SABINA SPIGA (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Structure and interface bonding of GeO2/Ge/In0.15Ga0.85As heterostructures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• SABINA SPIGA (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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