Stability and interface quality of GeO2 films grown on Ge by atomic oxygen assisted deposition (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Stability and interface quality of GeO2 films grown on Ge by atomic oxygen assisted deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2955446 (literal)

Alternative label

• Molle, A; Spiga, S; Fanciulli, M (2008)
  Stability and interface quality of GeO2 films grown on Ge by atomic oxygen assisted deposition
  in Journal of chemical physics online
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Molle, A; Spiga, S; Fanciulli, M (literal)

Pagina inizio

• 011104 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 129 (literal)

Rivista

• Journal of chemical physics online (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Molle, Alessandro; Spiga, Sabina; Fanciulli, Marco] CNR INFM Lab Nazl MDM, I-20041 Agrate Brianza, Italy; [Fanciulli, Marco] Univ Milano Bicocca, Dipartimento Sci Mat, I-20126 Milan, Italy (literal)

Titolo

• Stability and interface quality of GeO2 films grown on Ge by atomic oxygen assisted deposition (literal)

Abstract

• The composition of GeO2 films grown on Ge has been studied for different molecular deposition processes and after exposure to ambient air. The stoichiometry, the interaction with moisture, and the interfacial details of the films are shown to be dramatically process dependent. (c) 2008 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)
• SABINA SPIGA (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Stability and interface quality of GeO2 films grown on Ge by atomic oxygen assisted deposition" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• SABINA SPIGA (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of chemical physics online (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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