Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• G. Greco 1, F. Iucolano 2, C. Bongiorno 1, S. Di Franco 1, F. Giannazzo 1, M. Leszczy?ski 3, F. Roccaforte 1 (2014)
  Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality
  in 38th Workshop on Compound Semiconductors Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2014), Delphi (Greece), 15-18 June, 2014
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G. Greco 1, F. Iucolano 2, C. Bongiorno 1, S. Di Franco 1, F. Giannazzo 1, M. Leszczy?ski 3, F. Roccaforte 1 (literal)

Pagina inizio

• 95 (literal)

Pagina fine

• 96 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Proceedings of the 38th Workshop on Compound Semiconductors Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2014) and 12th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technology (EXMATEC2014) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 CNR-IMM, Catania, Italy 2 STMicroelectronics, Catania, Italy 3 Institute of High Pressure Physics, University of Warsaw, Poland (literal)

Titolo

• Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality (literal)

Abstract

• In this paper, the electrical and structural properties of Ti/Al Ohmic contacts have been investigated comparing AlGaN/GaN heterostructures with different dislocation density. The annealing temperature leading to Ohmic be-haviour is related to the material quality of the substrate. Moreover a different temperature dependence of the spe-cific contact resistance RC has been observed. (literal)

Editore

• K. Zekentes and E. Iliopulos (Editore)

Prodotto di

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Editore di

• K. Zekentes and E. Iliopulos (Editore)