Electrical properties of CeO2 thin films deposited on AlGaN/GaN heterostructure (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Electrical properties of CeO2 thin films deposited on AlGaN/GaN heterostructure (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• P. Fiorenza 1, G. Greco 1, G. Fisichella 1, G. Malandrino 2, R. Lo Nigro 1, F. Roccaforte 1 (2014)
  Electrical properties of CeO2 thin films deposited on AlGaN/GaN heterostructure
  in 38th Workshop on Compound Semiconductors Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2014), Delphi (Greece), 15-18 June, 2014
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• P. Fiorenza 1, G. Greco 1, G. Fisichella 1, G. Malandrino 2, R. Lo Nigro 1, F. Roccaforte 1 (literal)

Pagina inizio

• 87 (literal)

Pagina fine

• 88 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Proceedings of the 38th Workshop on Compound Semiconductors Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2014) and 12th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technology (EXMATEC2014) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 CNR-IMM, Catania, Italy 2 University of Catania, Italy (literal)

Titolo

• Electrical properties of CeO2 thin films deposited on AlGaN/GaN heterostructure (literal)

Abstract

• This work reports on the electrical properties of CeO2 thin films grown on AlGaN/GaN heterostructures by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The high permittivity (?=26) and the 4 orders of magnitude reduction of the leakage current suggest that the material can be very promising if integrated as gate insulator in HEMT technology. The conduction mechanism through the insulator was demonstrated to be a Poole-Frenkel emission, with characteristic energy of 0.9eV from the conduction band. The traps distribution was investigated by the conductance method . (literal)

Editore

• K. Zekentes and E. Iliopulos (Editore)

Prodotto di

• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• Gabriele Fisichella (Persona)
• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)
• Gabriele Fisichella (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

Editore di

• K. Zekentes and E. Iliopulos (Editore)