Logic with memory: and gates made of organic and inorganic memristive devices (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Logic with memory: and gates made of organic and inorganic memristive devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1088/0268-1242/29/10/104009 (literal)

Alternative label

• G Baldi1, S Battistoni1,4, G Attolini1, M Bosi1, C Collini3, S Iannotta1, L Lorenzelli3, R Mosca1, J S Ponraj1, R Verucchi2 and V Erokhin1 (2014)
  Logic with memory: and gates made of organic and inorganic memristive devices
  in Semiconductor science and technology (Online); IOP PUBLISHING, BRISTOL (Regno Unito)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G Baldi1, S Battistoni1,4, G Attolini1, M Bosi1, C Collini3, S Iannotta1, L Lorenzelli3, R Mosca1, J S Ponraj1, R Verucchi2 and V Erokhin1 (literal)

Pagina inizio

• 1 (literal)

Pagina fine

• 6 (literal)

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• http://iopscience.iop.org/0268-1242/29/10/104009 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 29 (literal)

Rivista

• Semiconductor science and technology (Rivista)

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• 6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 10 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1 IMEM-CNR Institute, Parco Area delle Scienze 37/A, I-43124 Parma, Italy 2 IMEM-CNR Institute, Via alla Cascata 56/C, Povo - I-38123 Trento, Italy 3 FBK Bruno Kessler Foundation, Via Sommarive 18, I-38123 Trento, Italy 4 Department of Physics and Earth Sciences, Parma University, Parco Area delle Scienze 7/A. I-43124 Parma, Italy (literal)

Titolo

• Logic with memory: and gates made of organic and inorganic memristive devices (literal)

Abstract

• Logic elements endowed with memory are realized with two types of memristors: organic and inorganic ones. The organic devices are based on a polyaniline/polyethylene oxide heterostructure, while the inorganic ones are based on a Pt/Al2O3/Ti heterostructure. The memristors are characterized by measuring cyclic voltage-current characteristics. They are then used to make AND gates showing memory abilities, exhibiting different behaviors. In the case of the inorganic devices the OFF/ON transitions are very fast when two inputs are applied simultaneously, while they are slow, with a gradual increase of the conductivity, in the case of the organic devices. The two types of devices are suggested as logic elements for future neuromorphic computers combining memory and processing properties. (literal)

Editore

• IOP PUBLISHING (Editore)

Prodotto di

• Nanostrutture e dispositivi da SuMBE per sensoristica e fotovoltaico: sviluppo e caratterizzazione (SP.P02.001.004) (Modulo)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Crescita di materiali, funzionalizzazioni e dispositivi da precursori molecolari, inorganici e cluster (MD.P06.037.001) (Modulo)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• GIACOMO BALDI (Unità di personale interno)
• VICTOR EROKHIN (Unità di personale interno)
• ROBERTO VERUCCHI (Unità di personale interno)
• ROBERTO MOSCA (Unità di personale interno)
• SALVATORE IANNOTTA (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• Joice Sophia Ponraj (Unità di personale esterno)
• MATTEO BOSI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Logic with memory: and gates made of organic and inorganic memristive devices" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROBERTO MOSCA (Unità di personale interno)
• SALVATORE IANNOTTA (Unità di personale interno)
• GIACOMO BALDI (Unità di personale interno)
• ROBERTO VERUCCHI (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID24035
• Joice Sophia Ponraj (Unità di personale esterno)
• MATTEO BOSI (Persona)
• VICTOR EROKHIN (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Nanostrutture e dispositivi da SuMBE per sensoristica e fotovoltaico: sviluppo e caratterizzazione (SP.P02.001.004) (Modulo)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)
• Crescita di materiali, funzionalizzazioni e dispositivi da precursori molecolari, inorganici e cluster (MD.P06.037.001) (Modulo)

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• Semiconductor science and technology (Rivista)

Editore di

• IOP PUBLISHING (Editore)

Insieme di parole chiave di

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