Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.623 (literal)

Alternative label

• Fiorenza, Patrick; Swanson, Lukas K.; Vivona, Marilena; Giannazzo, Filippo; Bongiorno, Corrado; Lorenti, Simona; Frazzetto, Alessia; Roccaforte, Fabrizio (2014)
  Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Fiorenza, Patrick; Swanson, Lukas K.; Vivona, Marilena; Giannazzo, Filippo; Bongiorno, Corrado; Lorenti, Simona; Frazzetto, Alessia; Roccaforte, Fabrizio (literal)

Pagina inizio

• 623 (literal)

Pagina fine

• 626 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 778-780 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, Catania, Italy STMicroelectronics, Catania, Italy (literal)

Titolo

• Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (literal)

Abstract

• This paper reports a comparative characterization of SiO2/SiC interfaces subjected to post-oxide-deposition annealing in N2O or POCl3. Annealing process of the gate oxide in POCl3 allowed to achieve a notable increase of the MOSFET channel mobility (up to 108 cm(2)V(-1)s(-1)) with respect to the N2O annealing (about 20 cm(2)V(-1)s(-1)), accompanied by a different temperature behaviour of the electrical parameters in the two cases. Structural and compositional analyses revealed a different surface morphology of the oxide treated in POCl3, as a consequence of the strong incorporation of phosphorous inside the SiO2 matrix during annealing. This latter explained the instability of the electrical behaviour of MOS capacitors annealed in POCl3. (literal)

Prodotto di

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3" (Insieme di parole chiave)