Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1088/0268-1242/29/7/075018 (literal)
Alternative label
  • M. Vivona, G. Greco, F. Giannazzo, R. Lo Nigro, S. Rascunà, M. Saggio, F. Roccaforte (2014)
    Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC
    in Semiconductor science and technology (Print)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • M. Vivona, G. Greco, F. Giannazzo, R. Lo Nigro, S. Rascunà, M. Saggio, F. Roccaforte (literal)
Pagina inizio
  • 075018-1 (literal)
Pagina fine
  • 075018-7 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 29 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 7 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-IMM, Catania, Italy STMicroelectronics, Catania, Italy (literal)
Titolo
  • Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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