Visible and Infra-red Light Emission in Boron-Doped Wurtzite Silicon Nanowires (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Visible and Infra-red Light Emission in Boron-Doped Wurtzite Silicon Nanowires (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1038/srep03603 (literal)

Alternative label

• Fabbri, Filippo; Rotunno, Enzo; Lazzarini, Laura; Fukata, Naoki; Salviati, Giancarlo (2014)
  Visible and Infra-red Light Emission in Boron-Doped Wurtzite Silicon Nanowires
  in Scientific reports (Nature Publishing Group); NATURE PUBLISHING GROUP,, LONDON (Regno Unito)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Fabbri, Filippo; Rotunno, Enzo; Lazzarini, Laura; Fukata, Naoki; Salviati, Giancarlo (literal)

Pagina inizio

• 3603-1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.nature.com/srep/2014/140108/srep03603/full/srep03603.html (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 4 (literal)

Rivista

• Scientific reports (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMEM-CNR Institute, Parco area delle Scienze 37/A, Parma, (Italy); International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, (Japan); (literal)

Titolo

• Visible and Infra-red Light Emission in Boron-Doped Wurtzite Silicon Nanowires (literal)

Abstract

• Silicon, the mainstay semiconductor in microelectronic circuitry, is considered unsuitable for optoelectronic applications owing to its indirect electronic band gap, which limits its efficiency as a light emitter. Here we show the light emission properties of boron-doped wurtzite silicon nanowires measured by cathodoluminescence spectroscopy at room temperature. A visible emission, peaked above 1.5 eV, and a near infra-red emission at 0.8 eV correlate respectively to the direct transition at the Gamma point and to the indirect band-gap of wurtzite silicon. We find additional intense emissions due to boron intra-gap states in the short wavelength infra-red range. We present the evolution of the light emission properties as function of the boron doping concentration and the growth temperature. (literal)

Editore

• NATURE PUBLISHING GROUP, (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• ENZO ROTUNNO (Persona)
• FILIPPO FABBRI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Visible and Infra-red Light Emission in Boron-Doped Wurtzite Silicon Nanowires" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• ENZO ROTUNNO (Persona)
• FILIPPO FABBRI (Persona)

Editore di

• NATURE PUBLISHING GROUP, (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Scientific reports (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Visible and Infra-red Light Emission in Boron-Doped Wurtzite Silicon Nanowires" (Insieme di parole chiave)