Large thermal biasing of individual gated nanostructures (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Large thermal biasing of individual gated nanostructures (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1007/s12274-014-0426-y (literal)
Alternative label
  • Roddaro S.; Ercolani D.; Safeen M.A.; Rossella F.; Piazza V.; Giazotto F.; Sorba L.; Beltram F. (2014)
    Large thermal biasing of individual gated nanostructures
    in Nano research (Print)
    (literal)
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  • Roddaro S.; Ercolani D.; Safeen M.A.; Rossella F.; Piazza V.; Giazotto F.; Sorba L.; Beltram F. (literal)
Pagina inizio
  • 1 (literal)
Pagina fine
  • 9 (literal)
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  • http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84899978341&partnerID=q2rCbXpz (literal)
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  • 7 (literal)
Rivista
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  • 4 (literal)
Note
  • Scopu (literal)
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  • Scuola Normale Superiore and Istituto Nanoscienze-CNR, NEST, Piazza S. Silvestro 12, I-56127 Pisa, Italy; Istituto Officina dei Materiali - CNR, Basovizza S.S. 14 km 163.5, I-34149 Trieste, Italy; Istituto Italiano di Tecnologia, Center for Nanotechnology Innovation at NEST, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy (literal)
Titolo
  • Large thermal biasing of individual gated nanostructures (literal)
Abstract
  • We demonstrate very large and uniform temperature gradients up to about 1 K every 100 nm, in an architecture which is compatible with the field-effect control of the nanostructure under test. The temperature gradients demonstrated greatly exceed those typically obtainable with standard resistive heaters fabricated on top of the oxide layer. The nanoheating platform is demonstrated in the specific case of a short-nanowire device. [Figure not available: see fulltext.] © 2014 Tsinghua University Press and Springer-Verlag Berlin Heidelberg. (literal)
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Autore CNR
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