Depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy of silicon supersaturated with sulfur (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy of silicon supersaturated with sulfur (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4788743 (literal)

Alternative label

• Fabbri, Filippo; Smith, Matthew J.; Recht, Daniel; Aziz, Michael J.; Gradecak, Silvija; Salviati, Giancarlo (2013)
  Depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy of silicon supersaturated with sulfur
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Fabbri, Filippo; Smith, Matthew J.; Recht, Daniel; Aziz, Michael J.; Gradecak, Silvija; Salviati, Giancarlo (literal)

Pagina inizio

• 031909-1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/102/3/10.1063/1.4788743 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 102 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 IMEM-CNR Institute, viale Usberti 37/A, Parma, Italy; 2 Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA; 3 Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA (literal)

Titolo

• Depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy of silicon supersaturated with sulfur (literal)

Abstract

• We investigate the luminescence of Si supersaturated with S (Si:S) using depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy and secondary ion mass spectroscopy as the S concentration is varied over 2 orders of magnitude (10(18)-10(20) cm(-3)). In single-crystalline supersaturated Si:S, we identify strong luminescence from intra-gap states related to Si self-interstitials and a S-related luminescence at 0.85 eV, both of which show a strong dependence on S concentration in the supersaturated regime. Sufficiently high S concentrations in Si (>10(20) cm(-3)) result in complete luminescence quenching, which we propose is a consequence of the overlapping of the defect band and conduction band. (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• FILIPPO FABBRI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy of silicon supersaturated with sulfur" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• FILIPPO FABBRI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy of silicon supersaturated with sulfur" (Insieme di parole chiave)