Plasma Treatment of 3C-SiC Surfaces (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Plasma Treatment of 3C-SiC Surfaces (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.287 (literal)

Alternative label

• Attolini, G.; Rotonda, P. M.; Cornelissen, C.; Mazzera, M.; Bosi, M. (2013)
  Plasma Treatment of 3C-SiC Surfaces
  in Materials science forum; TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH (Svizzera)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Attolini, G.; Rotonda, P. M.; Cornelissen, C.; Mazzera, M.; Bosi, M. (literal)

Pagina inizio

• 287 (literal)

Pagina fine

• 290 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012) Location: St Petersburg, RUSSIA Date: SEP 02-06, 2012 Sponsor(s):Nitride Crystals Grp; CREE Inc; Svetlana JSC; Russian Fdn Basic Res; Off Naval Res; Epitaxial Technol Ctr; LPE; Perfect Crystals; AIXTRON; Gen Elect; Dow Corn; Govt St Petersburg IN: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 Edited by:Lebedev, AA; Davydov, SY; Ivanov, PA; Levinshtein, ME (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/MSF.740-742.287 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 740-742 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMEM CNR Inst, Parco Area Sci 37A, I-43124 Parma, Italy; Lintes, Research Laboratory, Colonnella (TE), Italy; Physics Department, University of Parma, Parma, Italy (literal)

Titolo

• Plasma Treatment of 3C-SiC Surfaces (literal)

Abstract

• Surfaces of cubic silicon carbide (3C-SiC), grown by vapour phase epitaxy with silane and propane as precursors, were treated with plasma to remove residual species deposited during the growth procedure and the sample cooling down, or due to atmospherical contamination. The impurity traces were investigated with optical absorption spectroscopy. No morphology changes due to the plasma exposure were observed. (literal)

Editore

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• MATTEO BOSI (Persona)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Plasma Treatment of 3C-SiC Surfaces" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)

Editore di

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

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Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Plasma Treatment of 3C-SiC Surfaces" (Insieme di parole chiave)