Structural characterization of 3C-SiC grown using methyltrichlorosilane (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Structural characterization of 3C-SiC grown using methyltrichlorosilane (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.291 (literal)

Alternative label

• Bosi, Matteo; Attolini, Giovanni; Pecz, Bela; Zolnai, Zsolt; Dobos, Laszlo; Martinez, Oscar; Jiang, Liudi; Taysir, Salim (2013)
  Structural characterization of 3C-SiC grown using methyltrichlorosilane
  in Materials science forum; TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH (Svizzera)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bosi, Matteo; Attolini, Giovanni; Pecz, Bela; Zolnai, Zsolt; Dobos, Laszlo; Martinez, Oscar; Jiang, Liudi; Taysir, Salim (literal)

Pagina inizio

• 291 (literal)

Pagina fine

• 294 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• Conference: 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012) Location: St Petersburg, RUSSIA Date: SEP 02-06, 2012 Sponsor(s):Nitride Crystals Grp; CREE Inc; Svetlana JSC; Russian Fdn Basic Res; Off Naval Res; Epitaxial Technol Ctr; LPE; Perfect Crystals; AIXTRON; Gen Elect; Dow Corn; Govt St Petersburg IN: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/MSF.740-742.291 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 740-742 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMEM CNR, Parco Area Sci 37 A, I-43124 Parma, Italy (literal)

Titolo

• Structural characterization of 3C-SiC grown using methyltrichlorosilane (literal)

Abstract

• 3C-SiC layers were grown on Si substrates using standard precursors (SiH4 and C3H8) and by adding methyl trichloro silane (MTS) to the gas phase, with growth temperatures between 1200 and 1300 degrees C. Characterization of the 3C-SiC layers shows that 3C-SiC grown with MTS has higher polycrystalline and amorphous content as well as lower residual stress. (literal)

Editore

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Structural characterization of 3C-SiC grown using methyltrichlorosilane" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)

Editore di

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Structural characterization of 3C-SiC grown using methyltrichlorosilane" (Insieme di parole chiave)